Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-rf > BLS3135-20,114
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3024076BLS3135-20,114 이미지NXP Semiconductors / Freescale

BLS3135-20,114

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    BLS3135-20,114
  • 제조업체 / 브랜드
    Freescale / NXP Semiconductors
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANSISTOR RF POWER SOT422A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BLS3135-20,114.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    75V
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    CDFM2
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    80W
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    SOT-422A
  • 다른 이름들
    934055937114
    BLS3135-20 TRAY
    BLS3135-20 TRAY-ND
  • 작동 온도
    200°C (TJ)
  • 잡음 지수 (f에서 dB Typ)
    -
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 이득
    8dB
  • 주파수 - 전환
    3.5GHz
  • 상세 설명
    RF Transistor NPN 75V 2A 3.5GHz 80W Surface Mount CDFM2
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    40 @ 1.5A, 5V
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    2A
  • 기본 부품 번호
    BLS3135

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

2024년10월8일

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

2024년9월26일
배송
지불
다음은 "BLS3135-20,114"관련 제품입니다.
BLS2731-10,114

BLS2731-10,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT445C

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
BLS6G2731P-200,117

BLS6G2731P-200,117

기술: RF FET LDMOS 32V SOM038

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS2731-20,114

BLS2731-20,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT445C

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2735LS-30,112

BLS6G2735LS-30,112

기술: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2933S-130,112

BLS6G2933S-130,112

기술: RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS2731-110,114

BLS2731-110,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT423A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2731-6G,112

BLS6G2731-6G,112

기술: RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2933P-200,117

BLS6G2933P-200,117

기술: TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS3135-65,114

BLS3135-65,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT422A

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
BLS6G3135-120,112

BLS6G3135-120,112

기술: RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112

기술: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112

기술: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS3135-50,114

BLS3135-50,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT422A

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
BLS2731-50,114

BLS2731-50,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT422A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

기술: RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS3135-10,114

BLS3135-10,114

기술: TRANSISTOR RF POWER SOT445C

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
BLS6G3135S-120,112

BLS6G3135S-120,112

기술: RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G3135-20,112

BLS6G3135-20,112

기술: RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS2933-100,112

BLS2933-100,112

기술: RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
BLS6G2735L-30,112

BLS6G2735L-30,112

기술: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A

제조업체: Ampleon
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.