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PMN35EN,115 이미지

NXP Semiconductors / Freescale

PMN35EN,115

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온라인 문의

규격

제품 모델

PMN35EN,115
제조업체 / 브랜드

Freescale / NXP Semiconductors
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

PMN35EN,115.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

6-TSOP
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

31 mOhm @ 5.1A, 10V
전력 소비 (최대)

500mW (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457
다른 이름들

934065376115
PMN35EN115
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

334pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

9.3nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta)

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