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5452445H7N1002LS-E 이미지Renesas Electronics America

H7N1002LS-E

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규격
  • 제품 모델
    H7N1002LS-E
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    H7N1002LS-E.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    4-LDPAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    10 mOhm @ 37.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    100W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-83
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    9700pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    75A (Ta)

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IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

기술: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

기술: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRL7833STRLPBF

IRL7833STRLPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
XR46000ESETR

XR46000ESETR

기술: MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223

제조업체: Exar Corporation
유품
RFQ
IRL3715STRL

IRL3715STRL

기술: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
FQI13N50CTU

FQI13N50CTU

기술: MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
SI4626ADY-T1-GE3

SI4626ADY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
2N7002LT1G

2N7002LT1G

기술: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RFP40N10

RFP40N10

기술: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
STP5NK50Z

STP5NK50Z

기술: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
H7N1002LSTL-E

H7N1002LSTL-E

기술: MOSFET N-CH 100V LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
STS7PF30L

STS7PF30L

기술: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
IRF720STRL

IRF720STRL

기술: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF7495TR

IRF7495TR

기술: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SUD40N10-25-E3

SUD40N10-25-E3

기술: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

기술: MOSFET 100V 108A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

기술: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
IRF2204LPBF

IRF2204LPBF

기술: MOSFET N-CH 40V 170A TO-262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
FDB8860-F085

FDB8860-F085

기술: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
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