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656320H7N1002LSTL-E 이미지Renesas Electronics America

H7N1002LSTL-E

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규격
  • 제품 모델
    H7N1002LSTL-E
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    H7N1002LSTL-E.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    4-LDPAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    10 mOhm @ 37.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    100W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-83
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    9700pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    75A (Ta)

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CTLDM7003-M621 TR

CTLDM7003-M621 TR

기술: MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
RTQ020N05TR

RTQ020N05TR

기술: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

기술: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
FQI5N60CTU

FQI5N60CTU

기술: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

기술: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
IRF7809AV

IRF7809AV

기술: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
CSD25211W1015

CSD25211W1015

기술: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
RFQ
STH210N75F6-2

STH210N75F6-2

기술: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

기술: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
STFI6N65K3

STFI6N65K3

기술: MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
IXFY8N65X2

IXFY8N65X2

기술: MOSFET N-CH

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTQ96N25T

IXTQ96N25T

기술: MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IRF7210TRPBF

IRF7210TRPBF

기술: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPI08CN10N G

IPI08CN10N G

기술: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IPD200N15N3GBTMA1

IPD200N15N3GBTMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
H7N1002LS-E

H7N1002LS-E

기술: MOSFET N-CH 100V LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
IRL640SPBF

IRL640SPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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