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2093811NP70N10KUF-E1-AY 이미지Renesas Electronics America

NP70N10KUF-E1-AY

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규격
  • 제품 모델
    NP70N10KUF-E1-AY
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NP70N10KUF-E1-AY.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-263
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    20 mOhm @ 35A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.8W (Ta), 120W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3750pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 70A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    70A (Tc)

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IXFH26N50P

IXFH26N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
NP75P03YDG-E1-AY

NP75P03YDG-E1-AY

기술: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
IPC60R099CPX1SA2

IPC60R099CPX1SA2

기술: MOSFET N-CH BARE DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

기술: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY

기술: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
BUK7635-55A,118

BUK7635-55A,118

기술: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

제조업체: Nexperia
유품
RFQ
2SJ598(0)-Z-E1-AZ

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP75N04YUG-E1-AY

NP75N04YUG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP74N04YUG-E1-AY

NP74N04YUG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
STW11NK90Z

STW11NK90Z

기술: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
NP70N10KUF-E2-AY

NP70N10KUF-E2-AY

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
IRFU3709Z-701P

IRFU3709Z-701P

기술: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
AON4420

AON4420

기술: MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2

제조업체: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
유품
RFQ
TSM170N06PQ56 RLG

TSM170N06PQ56 RLG

기술: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
FDPF33N25TRDTU

FDPF33N25TRDTU

기술: MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IRF9Z34NSTRR

IRF9Z34NSTRR

기술: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF1503PBF

IRF1503PBF

기술: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IXTT30N60P

IXTT30N60P

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IPL60R075CFD7AUMA1

IPL60R075CFD7AUMA1

기술: MOSFET N-CH 650V 129A PGVSON-4

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
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