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3574761STGB40H65FB 이미지STMicroelectronics

STGB40H65FB

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유품
1000+
$1.764
2000+
$1.68
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규격
  • 제품 모델
    STGB40H65FB
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGB40H65FB.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 40A
  • 시험 조건
    400V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    40ns/142ns
  • 에너지 전환
    498µJ (on), 363µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 연속
    HB
  • 전력 - 최대
    283W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    497-16977-2
    STGB40H65FB-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    210nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    160A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    80A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGB7NB60HDT4

STGB7NB60HDT4

기술: IGBT 600V 14A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NB60FDT4

STGB3NB60FDT4

기술: IGBT 600V 6A 68W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7H60DF

STGB7H60DF

기술: IGBT 600V 14A 88W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6NC60HD-1

STGB6NC60HD-1

기술: IGBT 600V 15A 56W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30V60DF

STGB30V60DF

기술: IGBT 600V 60A 258W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3HF60HD

STGB3HF60HD

기술: IGBT 600V 7.5A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6NC60HDT4

STGB6NC60HDT4

기술: IGBT 600V 15A 56W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB5H60DF

STGB5H60DF

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7NB40LZT4

STGB7NB40LZT4

기술: IGBT 430V 14A 100W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB4M65DF2

STGB4M65DF2

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NB60KDT4

STGB3NB60KDT4

기술: IGBT 600V 10A 50W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NB60SDT4

STGB3NB60SDT4

기술: IGBT 600V 6A 70W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6M65DF2

STGB6M65DF2

기술: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB35N35LZT4

STGB35N35LZT4

기술: IGBT 345V 40A 176W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4

기술: IGBT 1200V 14A 75W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1

기술: IGBT 345V 40A 176W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30V60F

STGB30V60F

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB40V60F

STGB40V60F

기술: IGBT 600V 80A 283W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6NC60HT4

STGB6NC60HT4

기술: IGBT 600V 15A 56W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30NC60WT4

STGB30NC60WT4

기술: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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