Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > STGB4M65DF2
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6910460STGB4M65DF2 이미지STMicroelectronics

STGB4M65DF2

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$0.512
2000+
$0.478
5000+
$0.455
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    STGB4M65DF2
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGB4M65DF2.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.1V @ 15V, 4A
  • 시험 조건
    400V, 4A, 47 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    12ns/86ns
  • 에너지 전환
    40µJ (on), 136µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 연속
    M
  • 역 회복 시간 (trr)
    133ns
  • 전력 - 최대
    68W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    497-16964-2
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    15.2nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    16A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    8A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
배송
지불
다음은 "STGB4M65DF2"관련 제품입니다.
STGB35N35LZT4

STGB35N35LZT4

기술: IGBT 345V 40A 176W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3HF60HD

STGB3HF60HD

기술: IGBT 600V 7.5A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB5H60DF

STGB5H60DF

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NB60FDT4

STGB3NB60FDT4

기술: IGBT 600V 6A 68W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6NC60HD-1

STGB6NC60HD-1

기술: IGBT 600V 15A 56W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB40V60F

STGB40V60F

기술: IGBT 600V 80A 283W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7NB60KDT4

STGB7NB60KDT4

기술: IGBT 600V 14A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1

기술: IGBT 345V 40A 176W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6NC60HT4

STGB6NC60HT4

기술: IGBT 600V 15A 56W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7NC60HDT4

STGB7NC60HDT4

기술: IGBT 600V 25A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30V60F

STGB30V60F

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7NB60HDT4

STGB7NB60HDT4

기술: IGBT 600V 14A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NB60SDT4

STGB3NB60SDT4

기술: IGBT 600V 6A 70W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7H60DF

STGB7H60DF

기술: IGBT 600V 14A 88W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB40H65FB

STGB40H65FB

기술: IGBT BIPO 650V 40A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB7NB40LZT4

STGB7NB40LZT4

기술: IGBT 430V 14A 100W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4

기술: IGBT 1200V 14A 75W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB3NB60KDT4

STGB3NB60KDT4

기술: IGBT 600V 10A 50W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6M65DF2

STGB6M65DF2

기술: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB6NC60HDT4

STGB6NC60HDT4

기술: IGBT 600V 15A 56W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기소식사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.