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1152735STGYA120M65DF2 이미지STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

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유품
1+
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10+
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100+
$8.558
600+
$7.613
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규격
  • 제품 모델
    STGYA120M65DF2
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGYA120M65DF2.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.95V @ 15V, 120A
  • 시험 조건
    400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    66ns/185ns
  • 에너지 전환
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    MAX247™
  • 연속
    *
  • 역 회복 시간 (trr)
    202ns
  • 전력 - 최대
    625W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3 Exposed Pad
  • 다른 이름들
    497-16976
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT, Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    420nC
  • 상세 설명
    IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    360A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    160A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGWT40V60DLF

STGWT40V60DLF

기술: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80V60F

STGWT80V60F

기술: IGBT 600V 120A 469W TO-3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGY80H65DFB

STGY80H65DFB

기술: IGBT 650V 120A 469W MAX247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

기술: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40HP65FB

STGWT40HP65FB

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60H60DLFB

STGWT60H60DLFB

기술: IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60V60DLF

STGWT60V60DLF

기술: IGBT BIPO 600V 60A TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40V60DF

STGWT40V60DF

기술: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

기술: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT38IH130D

STGWT38IH130D

기술: IGBT 1300V 63A 250W TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGYA120M65DF2AG

STGYA120M65DF2AG

기술: IGBT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGY40NC60VD

STGY40NC60VD

기술: IGBT 600V 80A 260W MAX247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40H65FB

STGWT40H65FB

기술: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGY50NC60WD

STGY50NC60WD

기술: IGBT 600V 110A 278W MAX247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80V60DF

STGWT80V60DF

기술: IGBT 600V 120A 469W TO-3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

기술: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB

기술: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60H65FB

STGWT60H65FB

기술: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
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RFQ
STGWT40H60DLFB

STGWT40H60DLFB

기술: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60V60DF

STGWT60V60DF

기술: IGBT 600V 80A 375W TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
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