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STTH2L06U

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  • 제품 모델
    STTH2L06U
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH2L06U.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 2A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    SMB
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    85ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    497-3757-2
  • 작동 온도 - 정션
    175°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    29 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 2A Surface Mount SMB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    2µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    2A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    STTH2L06

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH2R02QRL

STTH2R02QRL

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

제조업체: STMicroelectronics
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STTH20R04G-TR

STTH20R04G-TR

기술: DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
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STTH2R02U

STTH2R02U

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB

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STTH2R06A

STTH2R06A

기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA

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STTH212

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC

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STTH2L06RL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH2R06RL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH2R02UY

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기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB

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STTH212U

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMB

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STTH2L06

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH212RL

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD

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STTH2R06

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH20R04W

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기술: DIODE GEN PURP 400V 20A DO247

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STTH20W02CW

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO247

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STTH2R02A

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기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

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STTH2L06UFY

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT

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STTH2R02Q

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기술: DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

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STTH2L06A

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA

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STTH2R02AFY

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기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD128

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