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STTH2R02Q

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  • 제품 모델
    STTH2R02Q
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO15
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH2R02Q.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    2A
  • 전압 - 파괴
    DO-15
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tape & Box (TB)
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • 작동 온도 - 정션
    30ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 제조업체 부품 번호
    STTH2R02Q
  • 확장 설명
    Diode Standard 200V 2A Through Hole DO-15
  • 다이오드 구성
    3µA @ 200V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO15
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1V @ 2A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    200V
  • VR, F @ 용량
    175°C (Max)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH2L06U

STTH2L06U

기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

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STTH2R06UFY

STTH2R06UFY

기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT

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STTH2L06UFY

STTH2L06UFY

기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMBFLAT

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STTH2R02UY

STTH2R02UY

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB

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STTH2L06RL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH2R06U

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

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STTH2R02AFY

STTH2R02AFY

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD128

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STTH2R06

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH2L06

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH3002CG

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK

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STTH2R02A

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기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

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STTH212S

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC

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STTH2R06RL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

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STTH212U

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMB

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STTH2R06A

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA

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STTH2L06A

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기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA

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STTH2R02QRL

STTH2R02QRL

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

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STTH2R06S

STTH2R06S

기술: DIODE GEN PURP 600V 2A SMC

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STTH212RL

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD

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STTH2R02U

STTH2R02U

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB

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