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1586122STTH506B-TR 이미지STMicroelectronics

STTH506B-TR

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규격
  • 제품 모델
    STTH506B-TR
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH506B-TR.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.85V @ 5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DPAK
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    50ns
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    497-5261-1
  • 작동 온도 - 정션
    175°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount DPAK
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    5A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    STTH506

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH4R02RL

STTH4R02RL

기술: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STTH4R06DEE-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
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STTH512B-TR

STTH512B-TR

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
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STTH50W06SW

STTH50W06SW

기술: DIODE GEN PURP 600V 50A TO247

제조업체: STMicroelectronics
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STTH4R02SY

STTH4R02SY

기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMC

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STTH506B

STTH506B

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
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STTH5BCF060

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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STTH4R02FP

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP

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STTH512FP

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP

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STTH4R02D

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC

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STTH4R02U

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMB

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STTH512D

STTH512D

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220AC

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STTH506D

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH50W03CW

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기술: DIODE ARRAY GP 300V 25A TO247

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STTH4R02S

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMC

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STTH506DTI

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH506TTI

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기술: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB

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STTH512B

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

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기술: DIODE GEN PURP 400V 5A

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STTH4R02UY

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