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STTH506TTI

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  • 제품 모델
    STTH506TTI
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH506TTI.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    3.6V @ 5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB Insulated
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    25ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 다이오드 구성
    1 Pair Series Connection
  • 상세 설명
    Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 5A Through Hole TO-220-3
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    6µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    5A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH5L06

STTH5L06

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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STTH506B

STTH506B

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH506D

STTH506D

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH504U

STTH504U

기술: DIODE GEN PURP 400V 5A

제조업체: STMicroelectronics
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STTH4R06DEE-TR

STTH4R06DEE-TR

기술: DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
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STTH5L04DEE-TR

STTH5L04DEE-TR

기술: DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
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STTH5L06B

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH50W03CW

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기술: DIODE ARRAY GP 300V 25A TO247

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STTH4R02SY

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMC

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STTH506B-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH506DTI

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH4R02S

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMC

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STTH50W06SW

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기술: DIODE GEN PURP 600V 50A TO247

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STTH5BCF060

STTH5BCF060

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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STTH4R02U

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMB

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STTH512B

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STTH512B-TR

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STTH512FP

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP

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STTH512D

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220AC

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STTH4R02UY

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