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STTH5L04DEE-TR

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  • 제품 모델
    STTH5L04DEE-TR
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH5L04DEE-TR.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    5A
  • 전압 - 파괴
    PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Digi-Reel®
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    8-PowerVDFN
  • 다른 이름들
    497-13334-6
  • 작동 온도 - 정션
    60ns
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    15 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    STTH5L04DEE-TR
  • 확장 설명
    Diode Standard 400V 5A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • 다이오드 구성
    2.5µA @ 400V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.25V @ 5A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    400V
  • VR, F @ 용량
    150°C (Max)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH5R06D

STTH5R06D

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH512FP

STTH512FP

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP

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STTH5R06BY-TR

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH506D

STTH506D

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH5L06RL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

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STTH512B-TR

STTH512B-TR

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

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STTH5L06D

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH5R06B

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STTH5L06B-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH5L06

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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STTH50W03CW

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기술: DIODE ARRAY GP 300V 25A TO247

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STTH506DTI

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTH512D

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220AC

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STTH5R06B-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH5L06B

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTH5BCF060

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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STTH506TTI

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기술: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB

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STTH5L06FP

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

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