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STTH812G-TR

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규격
  • 제품 모델
    STTH812G-TR
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH812G-TR.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    2.2V @ 8A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1200V
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    100ns
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    497-5264-1
  • 작동 온도 - 정션
    175°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    8µA @ 1200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    8A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    STTH812

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH8L06FP

STTH8L06FP

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

제조업체: STMicroelectronics
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STTH810G

STTH810G

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
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STTH8L06D

STTH8L06D

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH8BC065DI

STTH8BC065DI

기술: DIODE GEN PURP 650V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH810G-TR

STTH810G-TR

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
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STTH810FP

STTH810FP

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP

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STTH8R03D

STTH8R03D

기술: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

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STTH812D

STTH812D

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

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STTH8L06G-TR

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STTH812DI

STTH812DI

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS

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STTH8L02DDJFY-TR

STTH8L02DDJFY-TR

기술: DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT

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STTH810DI

STTH810DI

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB

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STTH8L06G

STTH8L06G

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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STTH810D

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STTH8R02DDJFY-TR

STTH8R02DDJFY-TR

기술: DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT

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STTH8L06DIRG

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STTH810GY-TR

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STTH8BC060D

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STTH812FP

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