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STTH8L02DDJFY-TR

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  • 제품 모델
    STTH8L02DDJFY-TR
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.STTH8L02DDJFY-TR.pdf
    2.STTH8L02DDJFY-TR.pdf
    3.STTH8L02DDJFY-TR.pdf
    4.STTH8L02DDJFY-TR.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 8A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerFlat™ (5x6) Dual
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
  • 역 회복 시간 (trr)
    40ns
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 다른 이름들
    497-17594-1
  • 작동 온도 - 정션
    -40°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 다이오드 구성
    2 Independent
  • 상세 설명
    Diode Array 2 Independent Standard 200V 4A Surface Mount 8-PowerVDFN
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    3µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    4A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH812G

STTH812G

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

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STTH8L06G

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STTH812G-TR

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
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STTH8BC060D

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH8L06DIRG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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STTH810GY-TR

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STTH8R03DJF-TR

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STTH8R04DI

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STTH8R02DDJFY-TR

STTH8R02DDJFY-TR

기술: DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT

제조업체: STMicroelectronics
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STTH812DI

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS

제조업체: STMicroelectronics
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STTH812D

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP

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기술: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

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STTH8L06G-TR

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