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6530426STTH8R04DI 이미지STMicroelectronics

STTH8R04DI

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규격
  • 제품 모델
    STTH8R04DI
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH8R04DI.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.5V @ 8A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AC ins
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    50ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-2 Insulated, TO-220AC
  • 다른 이름들
    497-7612-5
    STTH8R04DI-ND
  • 작동 온도 - 정션
    -40°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    29 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 8A Through Hole TO-220AC ins
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    8A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    STTH8R04

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH8L06G-TR

STTH8L06G-TR

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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STTH8R06G

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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STTH8L06FP

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STTH8L06D

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STTH8R06DIRG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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STTH8R06GY-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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기술: DIODE GEN PURP 400V 8A D2PAK

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STTH8R06FP

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

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기술: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220FP

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STTH8R03DJF-TR

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기술: DIODE GEN PURP 300V 8A POWERFLAT

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STTH8R06D

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH8R04G-TR

STTH8R04G-TR

기술: DIODE GEN PURP 400V 8A D2PAK

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STTH8L06DIRG

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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STTH8S06B-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

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STTH8R02DDJFY-TR

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT

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STTH8L06G

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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STTH8L02DDJFY-TR

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 4A PWRFLAT

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STTH8R03D

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기술: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

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