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6423708RN112-0.4-02-39M 이미지Schaffner EMC, Inc.

RN112-0.4-02-39M

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규격
  • 제품 모델
    RN112-0.4-02-39M
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CMC 39MH 400MA 2LN TH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 정격 전압 - DC
    -
  • 정격 전압 - AC
    300V
  • 크기 / 치수
    0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm)
  • 연속
    RN
  • 등급
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    Horizontal, 4 PC Pin
  • 다른 이름들
    815692
    817-2088
  • 작동 온도
    -40°C ~ 100°C
  • 라인 수
    2
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수에서 인덕턴스
    39mH @ 10kHz
  • 높이 (최대)
    0.508" (12.90mm)
  • 필터 유형
    Power Line
  • 풍모
    -
  • 상세 설명
    39mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 400mA DCR 1.5 Ohm (Typ)
  • DC 저항 (DCR) (최대)
    1.5 Ohm (Typ)
  • 카드 두께 (mm)
    400mA
  • 승인
    ENEC, UR, VDE
RN112-1.2-02

RN112-1.2-02

기술: CMC 6.8MH 1.2A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

기술: CMC 27MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN111PC

RN111PC

기술: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

제조업체: Conxall / Switchcraft
유품
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN112-0.8-02

RN112-0.8-02

기술: CMC 10MH 800MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

기술: CMC 39MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

기술: CMC 15MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.8-02-10M

RN112-0.8-02-10M

기술: CMC 10MH 800MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.6-02

RN112-0.6-02

기술: CMC 15MH 600MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

기술: CMC 18MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.5-02-27M

RN112-0.5-02-27M

기술: CMC 27MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

기술: CMC 27MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN112-0.6-02-15M

RN112-0.6-02-15M

기술: CMC 15MH 600MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN112-1.2-02-6M8

RN112-1.2-02-6M8

기술: CMC 6.8MH 1.2A 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

기술: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품

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