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1758054RN1117MFV,L3F 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

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  • 제품 모델
    RN1117MFV,L3F
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN1117MFV,L3F.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 500µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    VESM
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    4.7 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-723
  • 다른 이름들
    RN1117MFVL3F
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    250MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    30 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

기술: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

기술: CMC 39MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

기술: CMC 27MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

기술: CMC 18MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

기술: CMC 27MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

기술: CMC 39MH 400MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
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RFQ
RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

기술: CMC 15MH 500MA 2LN TH

제조업체: Schaffner EMC, Inc.
유품
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

기술: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
RN111PC

RN111PC

기술: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

제조업체: Conxall / Switchcraft
유품
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

기술: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
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