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5343924GP2S24BCJ00F 이미지Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

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규격
  • 제품 모델
    GP2S24BCJ00F
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    35V
  • 연속
    -
  • 감지 방법
    Reflective
  • 감지 거리
    0.028" (0.7mm)
  • 응답 시간
    20µs, 20µs
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    4-SMD
  • 출력 유형
    Phototransistor
  • 다른 이름들
    425-2681-5
    GP2S24BCJ00F-ND
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Reflective Optical Sensor 0.028" (0.7mm) 4-SMD
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    50mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    20mA
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

기술: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2S28

GP2S28

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC 6MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2M020A060N

GP2M020A060N

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M023A050N

GP2M023A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2M020A050H

GP2M020A050H

기술: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2S27T6J00F

GP2S27T6J00F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2M020A050F

GP2M020A050F

기술: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

기술: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2S24

GP2S24

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2M020A050N

GP2M020A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2M013A050F

GP2M013A050F

기술: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2S27T

GP2S27T

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2S27TJ000F

GP2S27TJ000F

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2S40

GP2S40

기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC 6.5MM PC

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP2M012A060H

GP2M012A060H

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품

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