다음은 "GP2M013A050F"관련 제품입니다.
기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB
제조업체: Sharp Microelectronics
유품
기술: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3
제조업체: Sharp Microelectronics
유품
기술: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB
제조업체: Sharp Microelectronics
유품
기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP
제조업체: Sharp Microelectronics
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
제조업체: Global Power Technologies Group
유품
기술: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB
제조업체: Sharp Microelectronics
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