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SIT8209AI-G-33E

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규격
  • 제품 모델
    SIT8209AI-G-33E
  • 제조업체 / 브랜드
    SiTime
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.SIT8209AI-G-33E.pdf
    2.SIT8209AI-G-33E.pdf
  • 전압 - 공급
    3.3V
  • 유형
    XO (Standard)
  • 스펙트럼 대역폭을 확산
    -
  • 크기 / 치수
    0.106" L x 0.094" W (2.70mm x 2.40mm)
  • 연속
    SiT8209
  • 등급
    -
  • 프로그램 유형
    Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    4-SMD, No Lead
  • 산출
    LVCMOS, LVTTL
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 신장
    0.031" (0.79mm)
  • 기능
    Enable/Disable
  • 주파수 안정성 (전체)
    -
  • 주파수 안정성
    ±20ppm
  • 상세 설명
    XO (Standard) LVCMOS, LVTTL 80.000001MHz ~ 220MHz Programmable Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • 전류 - 공급 (최대)
    36mA
  • 전류 - 공급 (비활성화) (최대)
    31mA
  • 베이스 공진기
    MEMS
  • 사용 가능한 주파수 범위
    80.000001MHz ~ 220MHz

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SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

기술: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000X

SIT8209AI-G1-18E-100.000000X

기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

SIT8209AI-G1-18E-114.285000T

기술: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-212.500000Y

SIT8209AI-8F-33S-212.500000Y

기술: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 2

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000Y

SIT8209AI-G1-18E-100.000000Y

기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

기술: OSC MEMS 114.285MHZ SMD

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000X

SIT8209AI-G1-18E-106.250000X

기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-33S

SIT8209AI-G-33S

기술: OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-25E

SIT8209AI-G-25E

기술: OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 20PPM

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-98.304000X

SIT8209AI-8F-33S-98.304000X

기술: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 9

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-18S

SIT8209AI-G-18S

기술: OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-98.304000T

SIT8209AI-8F-33S-98.304000T

기술: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 9

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-28E

SIT8209AI-G-28E

기술: OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS 20PPM

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-18E

SIT8209AI-G-18E

기술: OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS 20PPM

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000Y

SIT8209AI-G1-18E-106.250000Y

기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-106.250000T

SIT8209AI-G1-18E-106.250000T

기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-25S

SIT8209AI-G-25S

기술: OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G-28S

SIT8209AI-G-28S

기술: OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-8F-33S-98.304000Y

SIT8209AI-8F-33S-98.304000Y

기술: -40 TO 85C, 7050, 10PPM, 3.3V, 9

제조업체: SiTime
유품
RFQ
SIT8209AI-G1-18E-100.000000T

SIT8209AI-G1-18E-100.000000T

기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1

제조업체: SiTime
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