다음은 "SIT8209AI-G1-18E-106.250000T"관련 제품입니다.
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS 20PPM
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 20PPM
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC MEMS 114.285MHZ SMD
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품
기술: OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM
제조업체: SiTime
유품
기술: -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1
제조업체: SiTime
유품