31DF6 B0G

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규격

제품 모델

31DF6 B0G
제조업체 / 브랜드

Taiwan Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

31DF6 B0G.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.7V @ 3A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

600V
제조업체 장치 패키지

DO-201AD
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

35ns
포장

Bulk
패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial
다른 이름들

31DF6 B0G-ND
31DF6B0G
작동 온도 - 정션

-40°C ~ 150°C
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
전류 - 누설 Vr에서 역방향

20µA @ 600V
전류 - 평균 정류 (Io)

3A
VR, F @ 용량

-

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기술: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

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기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics

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MBR20200FCTE3/TU

기술: DIODE SCHOTTKY 20A 200V ITO220AB

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC

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