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367081131DF6 R0G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

31DF6 R0G

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유품
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규격
  • 제품 모델
    31DF6 R0G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    31DF6 R0G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-201AD
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    35ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-201AD, Axial
  • 다른 이름들
    31DF6 R0G-ND
    31DF6R0G
  • 작동 온도 - 정션
    -40°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    20µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    -

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R20480

R20480

기술: RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
VS-6EVL06HM3/I

VS-6EVL06HM3/I

기술: DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
S1GHR3G

S1GHR3G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
31DF4 A0G

31DF4 A0G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
31DF4 B0G

31DF4 B0G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
31DF6 A0G

31DF6 A0G

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
SJPM-H4VL

SJPM-H4VL

기술: DIODE GEN PURP 400V 2A 2SMD

제조업체: Sanken Electric Co., Ltd.
유품
RFQ
12TQ150STR

12TQ150STR

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 15A D2PAK

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
RFQ
FGP10BHE3/73

FGP10BHE3/73

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
JANTX1N5614

JANTX1N5614

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
UPS3200E3/TR13

UPS3200E3/TR13

기술: DIODE SCHOTTKY 3A 200V POWERMITE

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
R6201450XXOO

R6201450XXOO

기술: DIODE GP 1.4KV 500A DO200AA R62

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
1N5551

1N5551

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
80EPS08

80EPS08

기술: DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
31DF6 B0G

31DF6 B0G

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
FR151S-TP

FR151S-TP

기술: DIODE GPP FAST 1.5A DO-15

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
31DF4 R0G

31DF4 R0G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
31D-2000T

31D-2000T

기술: INDCTR LIGHT

제조업체: VCC (Visual Communications Company)
유품
RFQ
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