Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > ESJLWHRQG
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3700475ESJLWHRQG 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

ESJLWHRQG

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
10000+
$0.076
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    ESJLWHRQG
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE, SUPER FAST
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 800mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    SOD-123W
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    35ns
  • 패키지 / 케이스
    SOD-123W
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount SOD-123W
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    800mA
  • VR, F @ 용량
    19pF @ 4V, 1MHz
VS-12FR100

VS-12FR100

기술: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
CMR1U-02M TR13

CMR1U-02M TR13

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

제조업체: Central Semiconductor
유품
SS10P6HM3/87A

SS10P6HM3/87A

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1BL MQG

RS1BL MQG

기술: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
ESJLW RVG

ESJLW RVG

기술: DIODE, SUPER FAST

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
ESJLWHRVG

ESJLWHRVG

기술: DIODE, SUPER FAST

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
ESJLW RQG

ESJLW RQG

기술: DIODE, SUPER FAST

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
MBRH200200

MBRH200200

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
SK28-LTP

SK28-LTP

기술: DIODE SCHOTTKY 80V 2A DO214AA

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4003GPEHE3/54

1N4003GPEHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RM 4Z

RM 4Z

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Sanken Electric Co., Ltd.
유품
RGP10AHE3/54

RGP10AHE3/54

기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SS29FA

SS29FA

기술: DIODE SCHOTTKY 90V 2A SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
EGP31B-E3/C

EGP31B-E3/C

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1T4G A1G

1T4G A1G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
SE30AFD-M3/6B

SE30AFD-M3/6B

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
VS-10MQ100-M3/5AT

VS-10MQ100-M3/5AT

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N6844

1N6844

기술: SCHOTTKY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오