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4726375GBL04HD2G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

GBL04HD2G

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유품
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규격
  • 제품 모델
    GBL04HD2G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GBL04HD2G.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    400V
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 4A
  • 과학 기술
    Standard
  • 제조업체 장치 패키지
    GBL
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    4-SIP, GBL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Single Phase
  • 상세 설명
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBL
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    4A

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GBL02-E3/45

GBL02-E3/45

기술: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

기술: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL08 D2G

GBL08 D2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GBL04 D2G

GBL04 D2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GBL02-M3/51

GBL02-M3/51

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL06-G

GBL06-G

기술: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

제조업체: Comchip Technology
유품
RFQ
GBL04-E3/51

GBL04-E3/51

기술: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

기술: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL04

GBL04

기술: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
GBL06 D2G

GBL06 D2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

기술: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL02-M3/45

GBL02-M3/45

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL02HD2G

GBL02HD2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GBL08

GBL08

기술: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
GBL02-E3/51

GBL02-E3/51

기술: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GBL06HD2G

GBL06HD2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
GBL06

GBL06

기술: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
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