GBL06 D2G

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규격

제품 모델

GBL06 D2G
제조업체 / 브랜드

Taiwan Semiconductor
재고 수량

유품
기술

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

GBL06 D2G.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

600V
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1V @ 2A
과학 기술

Standard
제조업체 장치 패키지

GBL
연속

-
포장

Tube
패키지 / 케이스

4-SIP, GBL
다른 이름들

GBL06 D2G-ND
GBL06D2G
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Single Phase
상세 설명

Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBL
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5µA @ 600V
전류 - 평균 정류 (Io)

4A

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제조업체: Comchip Technology

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GBL06-M3/51

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBL06

기술: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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기술: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBL06-M3/45

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBL08-E3/51

기술: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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GBL04-M3/51

기술: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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GBL08 D2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

유품

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GBL04HD2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

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GBL04 D2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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GBL06HD2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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기술: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

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기술: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

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