Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > S12KC V6G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
19323S12KC V6G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

S12KC V6G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
6000+
$0.152
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    S12KC V6G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    S12KC V6G-ND
    S12KCV6G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    12A
  • VR, F @ 용량
    78pF @ 4V, 1MHz
S12JR

S12JR

기술: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12JC R7G

S12JC R7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JCHM6G

S12JCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12KR

S12KR

기술: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12KCHR7G

S12KCHR7G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12KCHM6G

S12KCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12MC M6G

S12MC M6G

기술: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12MC V7G

S12MC V7G

기술: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12KC R7G

S12KC R7G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12KC V7G

S12KC V7G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12KC M6G

S12KC M6G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JC M6G

S12JC M6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JCHR7G

S12JCHR7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JC V6G

S12JC V6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12MCHM6G

S12MCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12M

S12M

기술: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12K

S12K

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12MC V6G

S12MC V6G

기술: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JC V7G

S12JC V7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12MC R7G

S12MC R7G

기술: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오