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S12JC R7G

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  • 제품 모델
    S12JC R7G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    S12JC R7G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 12A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    S12JC R7GCT
    S12JC R7GCT-ND
    S12JCR7GCT
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    12A
  • VR, F @ 용량
    78pF @ 4V, 1MHz

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S12GC V6G

S12GC V6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
S12JCHM6G

S12JCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
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S12JC M6G

S12JC M6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12GR

S12GR

기술: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
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S12JR

S12JR

기술: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12J

S12J

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
S12G

S12G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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S12KC V6G

S12KC V6G

기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12GCHR7G

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기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12JCHR7G

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기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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S12K

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기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

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S12GC V7G

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