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1036362S12GC V6G 이미지TSC (Taiwan Semiconductor)

S12GC V6G

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규격
  • 제품 모델
    S12GC V6G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 다른 이름들
    S12GC V6G-ND
    S12GCV6G
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    12A
  • VR, F @ 용량
    78pF @ 4V, 1MHz
S12JC M6G

S12JC M6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12GCHR7G

S12GCHR7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12DR

S12DR

기술: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12BR

S12BR

기술: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12JC R7G

S12JC R7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JC V7G

S12JC V7G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JCHM6G

S12JCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12G

S12G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
S12GC R7G

S12GC R7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
S12GC V7G

S12GC V7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

기술: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
S12GC M6G

S12GC M6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12JC V6G

S12JC V6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12GR

S12GR

기술: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12J

S12J

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
S12GCHM6G

S12GCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S12D

S12D

기술: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품

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