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UG06CHR0G

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규격
  • 제품 모델
    UG06CHR0G
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    UG06CHR0G.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    950mV @ 600mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    150V
  • 제조업체 장치 패키지
    TS-1
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    15ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    T-18, Axial
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 150V 600mA Through Hole TS-1
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 150V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    600mA
  • VR, F @ 용량
    9pF @ 4V, 1MHz

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UG06D/54

UG06D/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
UG06CHA0G

UG06CHA0G

기술: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06DHA1G

UG06DHA1G

기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06AHR0G

UG06AHR0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06C-E3/54

UG06C-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 150V 600MA MPG06

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UG06BHA0G

UG06BHA0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06AHA0G

UG06AHA0G

기술: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06CHA1G

UG06CHA1G

기술: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S3D-E3/9AT

S3D-E3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
HER102G A0G

HER102G A0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
SFT17GHA0G

SFT17GHA0G

기술: DIODE GEN PURP 500V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06B-E3/54

UG06B-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 100V 600MA MPG06

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UG06DHA0G

UG06DHA0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06BHA1G

UG06BHA1G

기술: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12JCHM6G

S12JCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06A-E3/54

UG06A-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 50V 600MA MPG06

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UG06D-E3/54

UG06D-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UG06BHR0G

UG06BHR0G

기술: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UG06AHA1G

UG06AHA1G

기술: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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UG06DHR0G

UG06DHR0G

기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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