UG06DHA0G

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제품 모델

UG06DHA0G
제조업체 / 브랜드

Taiwan Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

UG06DHA0G.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

950mV @ 600mA
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

200V
제조업체 장치 패키지

TS-1
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

Automotive, AEC-Q101
역 회복 시간 (trr)

15ns
포장

Tape & Box (TB)
패키지 / 케이스

T-18, Axial
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 200V 600mA Through Hole TS-1
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5µA @ 200V
전류 - 평균 정류 (Io)

600mA
VR, F @ 용량

9pF @ 4V, 1MHz

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기술: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

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기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division

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기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)

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UG06D-E3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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