Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > TC58BYG1S3HBAI6
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
914723TC58BYG1S3HBAI6 이미지Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$3.95
10+
$3.58
25+
$3.502
50+
$3.483
100+
$3.124
338+
$3.112
676+
$2.997
1014+
$2.85
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    TC58BYG1S3HBAI6
  • 제조업체 / 브랜드
    Kioxia America, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    TC58BYG1S3HBAI6.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    25ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND (SLC)
  • 제조업체 장치 패키지
    67-VFBGA (6.5x8)
  • 연속
    Benand™
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    67-VFBGA
  • 다른 이름들
    TC58BYG1S3HBAI6JDH
    TC58BYG1S3HBAI6YCL
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • 액세스 시간
    25ns

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "TC58BYG1S3HBAI6"관련 제품입니다.
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

기술: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

기술: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

기술: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

기술: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

기술: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

기술: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

기술: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

기술: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

기술: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

기술: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

기술: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

기술: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.