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TC58CVG0S3HQAIE

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규격
  • 제품 모델
    TC58CVG0S3HQAIE
  • 제조업체 / 브랜드
    Kioxia America, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    TC58CVG0S3HQAIE.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND (SLC)
  • 제조업체 장치 패키지
    16-SOP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 다른 이름들
    TC58CVG0S3HQAIEY0J
    TC58CVG0S3HQAIEYCJ
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    SPI - Quad I/O
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 155µs 16-SOP
  • 클럭 주파수
    104MHz
  • 액세스 시간
    155µs

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TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

기술: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

기술: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

기술: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

기술: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

기술: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

기술: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

기술: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

기술: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
유품
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

기술: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

기술: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
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