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3029397TPH3R003PL,LQ 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R003PL,LQ

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유품
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규격
  • 제품 모델
    TPH3R003PL,LQ
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    TPH3R003PL,LQ.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.1V @ 300µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP Advance (5x5)
  • 연속
    U-MOSIX-H
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    4.2 mOhm @ 44A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    90W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 다른 이름들
    TPH3R003PL,LQ(S
    TPH3R003PLLQ
    TPH3R003PLLQTR
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3825pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 88A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    88A (Tc)

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TPH3208LDG

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유품
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TPH3300CNH,L1Q

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유품
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TPH3208LD

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TPH3212PS

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제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
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TPH3R203NL,L1Q

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제조업체: Transphorm
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TPH3208PS

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기술: MOSFET N-CH 650V 20A TO220

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TPH3207WS

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TPH5900CNH,L1Q

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TPH4R606NH,L1Q

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TPH5200FNH,L1Q

TPH5200FNH,L1Q

기술: MOSFET N-CH 250V 26A SOP8

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TPH4R003NL,L1Q

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기술: MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP

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TPH5R906NH,L1Q

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기술: MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV

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