Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > TPH3206PSB
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
7041258TPH3206PSB 이미지Transphorm

TPH3206PSB

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$11.44
10+
$10.298
50+
$9.383
100+
$8.468
250+
$7.781
500+
$7.094
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    TPH3206PSB
  • 제조업체 / 브랜드
    Transphorm
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    TPH3206PSB.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.6V @ 500µA
  • Vgs (최대)
    ±18V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    180 mOhm @ 10A, 8V
  • 전력 소비 (최대)
    81W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    720pF @ 480V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    8V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    650V
  • 상세 설명
    N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    16A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일
배송
지불
다음은 "TPH3206PSB"관련 제품입니다.
TPH3206LSB

TPH3206LSB

기술: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3206LS

TPH3206LS

기술: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3206LDB

TPH3206LDB

기술: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3206LDGB

TPH3206LDGB

기술: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3205WSB

TPH3205WSB

기술: MOSFET N-CH 650V 36A TO247

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3207WS

TPH3207WS

기술: MOSFET N-CH 650V 50A TO247

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3208PS

TPH3208PS

기술: MOSFET N-CH 650V 20A TO220

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3208LS

TPH3208LS

기술: MOSFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3212PS

TPH3212PS

기술: MOSFET N-CH 650V 27A TO220

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3206PS

TPH3206PS

기술: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3208LD

TPH3208LD

기술: MOSFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3205WSBQA

TPH3205WSBQA

기술: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3R003PL,LQ

TPH3R003PL,LQ

기술: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
TPH3208LSG

TPH3208LSG

기술: MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3202PS

TPH3202PS

기술: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3208LDG

TPH3208LDG

기술: MOSFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3208PD

TPH3208PD

기술: MOSFET N-CH 650V 20A TO220

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3300CNH,L1Q

TPH3300CNH,L1Q

기술: MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
TPH3206PD

TPH3206PD

기술: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

기술: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

제조업체: Transphorm
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기소식사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.