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W25B40AVSNIG

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규격
  • 제품 모델
    W25B40AVSNIG
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W25B40AVSNIG.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ms, 5ms
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC
  • 연속
    SpiFlash®
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 40MHz 8-SOIC
  • 클럭 주파수
    40MHz

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W25M512JVCIQ

W25M512JVCIQ

기술: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M02GVTCIG TR

W25M02GVTCIG TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVFIQ TR

W25M512JVFIQ TR

기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVEIQ

W25M512JVEIQ

기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W2531-00

W2531-00

기술: TERM TURRET SINGLE L=11MM-11.2MM

제조업체: Harwin
유품
RFQ
W256H

W256H

기술: IC CLK BUFFER 1:12 180MHZ 28SSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
W25M02GVZEIT TR

W25M02GVZEIT TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVEIQ TR

W25M512JVEIQ TR

기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M02GVZEIG TR

W25M02GVZEIG TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25B40VSNIG T&R

W25B40VSNIG T&R

기술: IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25B40VSNIG

W25B40VSNIG

기술: IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVBIQ

W25M512JVBIQ

기술: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVFIQ

W25M512JVFIQ

기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M02GVTBIG TR

W25M02GVTBIG TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVBIQ TR

W25M512JVBIQ TR

기술: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M02GVTBIT TR

W25M02GVTBIT TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M02GVTCIT TR

W25M02GVTCIT TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25B40AVSNIG T&R

W25B40AVSNIG T&R

기술: IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W25M512JVCIQ TR

W25M512JVCIQ TR

기술: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W2530-00

W2530-00

기술: TERM TURRET SINGLE L=9MM-9.2MM

제조업체: Harwin
유품
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