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2099051W631GG8KB12I 이미지Winbond Electronics Corporation

W631GG8KB12I

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  • 제품 모델
    W631GG8KB12I
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W631GG8KB12I.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.425 V ~ 1.575 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3
  • 제조업체 장치 패키지
    78-WBGA (10.5x8)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
  • 클럭 주파수
    800MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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W631GG8MB-12

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GG8MB-12 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GG8MB-15 TR

W631GG8MB-15 TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GG8KB-11

W631GG8KB-11

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W631GG8MB12I

W631GG8MB12I

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GG8KB15I

W631GG8KB15I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W631GG6MB15J

W631GG6MB15J

기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W631GG6MB12J

W631GG6MB12J

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GG8KB12I TR

W631GG8KB12I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GG6MB15I

W631GG6MB15I

기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

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W631GG8MB-11 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

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W631GG8MB-11

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

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W631GG8KB15I TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

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W631GG8KB-12

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

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W631GG8KB-15

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