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3184821W632GG6KB-11 이미지Winbond Electronics Corporation

W632GG6KB-11

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  • 제품 모델
    W632GG6KB-11
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W632GG6KB-11.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.425 V ~ 1.575 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3
  • 제조업체 장치 패키지
    96-WBGA (9x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    96-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
  • 클럭 주파수
    933MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GU8MB11I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

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W632GG6KB-18

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6KB12I

W632GG6KB12I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

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W632GG6KB-09

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GU8MB15I TR

W631GU8MB15I TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W631GU8MB12I

W631GU8MB12I

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6KB11I

W632GG6KB11I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6AB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

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W632GG6KB-12

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GG6KB-15 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W631GU8MB15I

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기술: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

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W631GU8MB11I TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

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W632GG6KB12J

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

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