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W632GG6MB-11 이미지

Winbond Electronics Corporation

W632GG6MB-11

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유품

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규격

제품 모델

W632GG6MB-11
제조업체 / 브랜드

Winbond Electronics Corporation
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

W632GG6MB-11.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.425 V ~ 1.575 V
과학 기술

SDRAM - DDR3
제조업체 장치 패키지

96-VFBGA (13x7.5)
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

96-VFBGA
작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-VFBGA (13x7.5)
클럭 주파수

933MHz
액세스 시간

20ns

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