Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > W9412G6KH-5I TR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6688932W9412G6KH-5I TR 이미지Winbond Electronics Corporation

W9412G6KH-5I TR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$1.978
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    W9412G6KH-5I TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    2.3 V ~ 2.7 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR
  • 제조업체 장치 패키지
    66-TSOP II
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 다른 이름들
    W9412G6KH-5I TR-ND
    W9412G6KH-5ITR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    50ns
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94-X113-30

W94-X113-30

기술: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94-X112-30V

W94-X112-30V

기술: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6KH-5I TR

W9425G6KH-5I TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오