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  • 제품 모델
    W949D2DBJX5I
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W949D2DBJX5I.pdf
  • 전압 - 파괴
    90-VFBGA (8x13)
  • 기준
    Volatile
  • 소프트웨어
    512Mb (16M x 32)
  • 쉘 스타일
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tray
  • 역 회복 시간 (trr)
    200MHz
  • 편광
    90-TFBGA
  • 출력 절연
    DRAM
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 제조업체 부품 번호
    W949D2DBJX5I
  • 인터페이스
    Parallel
  • 기술
    IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

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기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

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