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2409102W971GG8SB-25 이미지Winbond Electronics Corporation

W971GG8SB-25

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  • 제품 모델
    W971GG8SB-25
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W971GG8SB-25.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    60-WBGA (8x12.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    400ps

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W971GG6SB-25 TR

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제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8JB25I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8JB-25

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

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W9725G6JB25I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8SB-25 TR

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W971GG6SB25I TR

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W9725G6KB-25

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W9725G6IB-25

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

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W971GG8SB25I

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