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6078552W972GG6JB25I TR 이미지Winbond Electronics Corporation

W972GG6JB25I TR

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  • 제품 모델
    W972GG6JB25I TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    84-WBGA (11x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    84-TFBGA
  • 다른 이름들
    W972GG6JB25I TR-ND
    W972GG6JB25ITR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-WBGA (11x13)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    400ps

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W972GG6JB-25 TR

W972GG6JB-25 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB-18 TR

W972GG6JB-18 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W972GG8JB-3

W972GG8JB-3

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG8JB-25

W972GG8JB-25

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB25I

W972GG6JB25I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG8JB-3 TR

W972GG8JB-3 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB-25

W972GG6JB-25

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB-18

W972GG6JB-18

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB-3I TR

W972GG6JB-3I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG6JB-3I

W972GG6JB-3I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG8JB-3I

W972GG8JB-3I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG8JB-25 TR

W972GG8JB-25 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W972GG8JB25I

W972GG8JB25I

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W972GG6KB-25

W972GG6KB-25

기술: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 84BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W972GG6JB-3 TR

W972GG6JB-3 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9725G8KB25I TR

W9725G8KB25I TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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W972GG8JB-18

W972GG8JB-18

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W972GG8JB-18 TR

W972GG8JB-18 TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W972GG8JB-3I TR

W972GG8JB-3I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W972GG6JB-3

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

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