Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > W9812G6KH-5 TR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3211321W9812G6KH-5 TR 이미지Winbond Electronics Corporation

W9812G6KH-5 TR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$1.60
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    W9812G6KH-5 TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W9812G6KH-5 TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SDRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    54-TSOP II
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 다른 이름들
    W9812G6KH-5 TR-ND
    W9812G6KH-5TR
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 54-TSOP II
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    4.5ns

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일

NVIDIA RTX 5090 그래픽 카드의 GPU 영역은 744mm ²이며 이전 ...

2024년11월25일

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일
배송
지불
다음은 "W9812G6KH-5 TR"관련 제품입니다.
W9816G6JB-6 TR

W9816G6JB-6 TR

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6KH-5

W9812G6KH-5

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9816G6IB-6

W9816G6IB-6

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G2KB-6I TR

W9812G2KB-6I TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6KH-6I TR

W9812G6KH-6I TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6JB-6I TR

W9812G6JB-6I TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9816G6IH-6I

W9816G6IH-6I

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9816G6JB-6I

W9816G6JB-6I

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9816G6IH-6

W9816G6IH-6

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9816G6JB-6

W9816G6JB-6

기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6JH-5

W9812G6JH-5

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G2KB-6I

W9812G2KB-6I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6JH-6I

W9812G6JH-6I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6JB-6

W9812G6JB-6

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6JB-6I

W9812G6JB-6I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6KH-6

W9812G6KH-6

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6JB-6 TR

W9812G6JB-6 TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6KH-6 TR

W9812G6KH-6 TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9812G6IH-6

W9812G6IH-6

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.