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W9864G6KH-6 TR

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  • 제품 모델
    W9864G6KH-6 TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W9864G6KH-6 TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SDRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    54-TSOP II
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 다른 이름들
    W9864G6KH-6 TR-ND
    W9864G6KH-6TR
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 액세스 시간
    5ns

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제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6

W9864G6KH-6

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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W987D2HBJX6E TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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