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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

통합 회로 (ICS)

W25Q256JVFIM

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기술: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G6KH-6 TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FB2X5J

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N01HVBINA

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6MB-12 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32BVZPJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH2KBVX2E

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6KB-12 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD6KBHX5I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W97AH6KBQX2E

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVPIQ TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q16DWSNIG TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W29N01HVBINF

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-5 TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64JVSTIQ TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W29GL256SL9B TR

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q64JVSFIQ TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GU8AB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q64FVSSJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W29N01HVDINF

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W948D6DBHX5I

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q128FVFIF TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q32FVTBIG TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W29GL128PH9T TR

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기술: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX5E

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD2KBJX5E TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64JVTCIQ TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVPIF TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVSH02

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL064CT7B

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기술: IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVFIQ TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVZPJF TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40EWUXIE TR

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6KB-11 TR

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기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVZEIG TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32BVSSJP

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVZPJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W988D6FBGX6E TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q16FWZPIQ

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W97AH2KBVX2I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q32JVSSIQ

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9825G6JH-6I TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9825G6JB-6 TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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W25Q32FVTCIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25X20AVSNIG

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기술: IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVEIP

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W29EE011P90Z

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기술: IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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