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4776370W94AD6KBHX5I 이미지Winbond Electronics Corporation

W94AD6KBHX5I

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  • 제품 모델
    W94AD6KBHX5I
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-VFBGA (8x9)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    5ns
W94AD2KBJX5E

W94AD2KBJX5E

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX6I

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX6G

W948D6FBHX6G

기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX6E TR

W948D6FBHX6E TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD6KBHX5I TR

W94AD6KBHX5I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D6DBHX5E

W949D6DBHX5E

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD6KBHX5E TR

W94AD6KBHX5E TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6KBHX5I

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기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD2KBJX5I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD2KBJX5I TR

W94AD2KBJX5I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D2DBJX5I

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기술: IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA

제조업체: Winbond Electronics
유품
W948D6KBHX5E

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기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6KBHX5E TR

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기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D2DBJX5I TR

W949D2DBJX5I TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D6DBHX5E TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D6DBHX5I

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W949D6DBHX5I TR

W949D6DBHX5I TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6KBHX5I TR

W948D6KBHX5I TR

기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD2KBJX5E TR

W94AD2KBJX5E TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD6KBHX5E

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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