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W94AD6KBHX5E TR

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  • 제품 모델
    W94AD6KBHX5E TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W94AD6KBHX5E TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-VFBGA (8x9)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 다른 이름들
    W94AD6KBHX5E TR-ND
    W94AD6KBHX5ETR
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    5ns

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제조업체: Winbond Electronics
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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W948D6FBHX6E TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W949D6DBHX5E

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W94AD6KBHX5E

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W94AD2KBJX5E TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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기술: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

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W94AD6KBHX5I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

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