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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

통합 회로 (ICS)

W947D2HBJX5I

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVEIP

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D2FBJX5I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P80VSSIG T&R

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기술: IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BWSSIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6MB-11

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB-25 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40VSSIG T&R

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기술: IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG6JB25I TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BVSNIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6KB12I TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVSSJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64JVDAIQ

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기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9816G6JH-6I

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기술: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9751G8KB-25 TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W9725G8KB25I TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX6E TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W989D2DBJX6I

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8JB25I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25X10VZPIG T&R

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기술: IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q80DLZPIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W632GU6KB-11

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q16DVSSJG

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W25Q256JVCIM TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8SB-25

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6KB-18

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WLCSP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSSIP TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DWUUIG TR

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기술: IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics
유품
W98AD6KBGX6I

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기술: 1GB MSDR X16 166MHZ IND

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P20VSNIG

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기술: IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVBIF

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32DWSSIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVBIF TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FWSSIQ TR

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8MB12I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8KB-11 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8MB-15

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W94AD2KBJX5I

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVFJP

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기술: IC FLASH MEMORY 128MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB-12

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기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6KB-15 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVSNJG

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG8MB-15 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVTBIG

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기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA

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W632GU8MB-11

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W988D2FBJX7E

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

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